3. Requirements of EUV resist
EUV is highly absorbed by all materials, even EUV optical components inside the lithography tool are susceptible to damage, mainly manifest as observable ablation. Such damage that is associated with the high-energy process of generating EUV radiation is a new concern specific to EUV lithography .
EUVL's shorter wavelength also increases flare, resulting in less
가공이 필요해 비싼 가격이 문제가 된다. 또한 일정 이상의 두께가 요구되어 부피가 커지고, 대량생산의 어려움등의 단점을 가진다. 이런 graphite 재료의 대체를 위해 , 고분자 복합체를 이용한 bipolar plate의 제작 연구가 필요하다.
c. Polymer composite bipolar plate를 사용할 때에 GDL과의 contact resistance를
니크롬선과 철크롬선의 성분
품종
Ni
Cr
Al
Mn
C
Fe
기타
니크롬 제 1종
77~81
17~21
2.0이하
0.15이하
1.5이하
2.0이하
니크롬 제 2종
63~67
15~18
2.5이하
0.20이하
나머지
2.0이하
철크롬 제 1종
23~25
4~6
1.0이하
0.10이하
나머지
3.0이하
철크롬 제 2종
18~20
2~4
1.0이하
0.10이하
나머지
3.0이하
Cr이 많은수록 유리하고 일정 강도에서는 탄소함유량이 많을수록
유리하다.
Ferrite를 경화하는 것 보다 Pearlite가 유리하다
탄화물이 많을수록 유리하다
경도가 동일하다면 Martensite < Pearlite < 고탄화물계가 양호하다
조대한 초정 탄화물은 불리하다.
b. 입자의 영향
abrasive마모에서 입자의 경
3. 증기 터빈의 효율 향상 방안
그림3-1. Steam Path Loss[1] 그림3-2. Leakages[1]
위에서 그림3-1은 스팀 터빈이 구동하는 중에 Steam Path에서 발생되는 손실 요인들에 대해서 나타내고 있다. 손실 중 50%로 가장 많은 부분을 차지하고 있는 것은 누설 손실로, 세부적으로는 블레이드 상단으로 누설
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
Cr-Mo계인 바이탈륨은 외과, 정형외과 및 치과 분야에 오래 전부터 사용되어 왔다.
가스터빈과 같은 열기관은 열효율을 높이기 위해 필연적으로 연소온도를 높이게 되는데 이를 위해서는 1000도 정도의 고온에서 사용하는 터빈 날개의 재료는 고온 강도가 필수적이고 여기에 더하여 고크리프강도, 내식
★ CR(Color Resist) – Red, Green, Blue
★ Black matrix – 빛을 차단, CR사이 색간섭 방지
★ Overcoat – 평탄도 향상, Color filter 보호
→ 투명 아크릴 Resin, Polyimide Resin, Polyuretane Resin
2010년 color filter(CF) capacity 1억 7,760만 m²/year 예상
( 2006년 capacity의 2배보다 많은 수치)
2008년 이래,